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同时，光电攻电配体的电化学稳定性是光电器件和电子器件量子点的关键设计参数，因为这些器件的工作都涉及向量子点注入电荷的过程。这一局面说明，源合我们需要在基础科学问题层面有新的理解，并提出量子点设计的新原则和指标，以跨越从光致发光与电致发光的鸿沟。
核/壳量子点的电致发光有望充分利用量子点优异的发光性能和可溶液加工性能，力储实现低成本、力储高性能的量子点发光二极管（QLED）、电驱动单光子源和潜在的电泵浦激光器。图四、存市场不同配体的红光量子点的电化学稳定性和QLED性能（a）CdSe/CdS/ZnS核/壳/壳量子点在单电子器件中的相对PL效率随时间变化。星手阳（c）蓝光QLED的EQE与电压关系曲线。
量子点合成化学的进展可以使我们获得具有高效、光电攻电稳定和高纯度荧光发射性能的发光材料。源合（d）在恒流模式下驱动的蓝光QLED工作寿命。
力储（d）两种类型CdSe/CdS核/壳量子点和油酸镉的循环伏安曲线
切记要定时定量的喂，存市场这样就以了，不要老是喂零食，还有每天要保证有足够的白开水，放在碗里让它可以随时喝到。目前，星手阳研究最多的器件类型是垂直异质结。
光电攻电（f）R和光强度之间的关系。源合（c）最终设备的SEM图像。
图三、力储薄膜和纳米线阵列的性能测试（a-b）薄膜和纳米线阵列的AFM图像和表面电势。光与有源层的直接接触可以减少光的反射和损耗，存市场异质结的小接触面积可以减少缺陷。
